الذاكرة العشوائيّة (الرام)

التردد:

ويقصد به عدد النبضات clocks التي تنبضبها ذاكرة ما خلال ثانية واحدة، وكلما زاد التردّد لذاكرة ما، كلما زادت كميةالمعلومات التي يمكن للذاكرة نفسها أن تقوم بنقلها (ويتضمن ذلك كتابتها أو قراءتها) خلال واحدة الزمن نفسها، الأمر الذي ينتج عنه فترة انتظار أقل للمعلومات من قبلالمعالج، وبالتالي فرصة أكبر لاستغلال أقصى حد ممكن من أداء المعالج دون إبطائه فيانتظار البيانات.
وبالتالي، فإنه نظريا يزداد التردّد كلّما ازداد تردّد الرامفي جهاز معين، أما في الواقع العملي فمعالجات إنتل لا تعطي زيادة ملحوظة في الأداءعند زيادة تردّد الذاكرة عن 667 ، أما معالجات AMD فتستفيد من زيادة تردّد الذاكرةبحكم تقنيّة الهايبرترابنسبورت لكنها لا تدعم ترددات أعلى من 800 ميغا، ولقد وصلتإلى التردد 1066 مع معالجات الفينوم الجديدة وما سيأتي بعدها.

وبالإضافة لماسبق، فإن ارتفاع تردّد الرام من شأنه أن يؤمن عرضاً إضافياً في الحزمة، والذيتتناسب قيمته طردا مع زيادة التردّد، ويعرّف عرض الحزمة هنا أنه أكبر كمية ممكنة منالبيانات يستطيع الناقل أن يقوم بنقلها من وإلى الذاكرة خلال ثانيةواحدة.

وتتوافر ذواكر DDR2 بتردّدات مرتفعة كـ 1000 1066 1200 ميغا، و هذهالذواكر لا تقدم أي زيادة ملموسة في الأداء، لكنها مفيدة جداً للراغبين بكسر سرعةمعالجاتهم لأرقام كبيرة، قد لا تسمح بها الذواكر الأقل تردداً من ذلك.
أماذواكر DDR3 فهي تتوافر حتى بتردّدات أعلى من ذلك، وهي مع التطبيقات الحالية لا تعطيأي فارق يذكر في الأداء عند مقارنتها بذواكر DDR2.

التواقيت:

سميت الذاكرة العشوائيّة عشوائيّة لأنهاتعتمد على إثارة الخلايا المتوضّعة على شكل شبكة مؤلفة من أعمدة Column (عموديّة) واسطر Raws (أفقيّة) بشكل عشوائي، والمقصود من كلمة عشوائي هنا تحديداً هو القدرةعلى إثارة الخليّة المطلوبة مباشرةً دون الاضّطرار للمرور على جميع الخلايا التيتسبقها بدءاً من أول خلية وصولاً إليها كما كان الأمر مع الذواكر سام SAM التسلسلية (Serial Access Memory).

و يتألّف كل عمود و كل خط من عدد من الخلايا، بحيثيتقاطع كل عمود مع كل سطر بخليّة واحدة، ويتم استثارة هذه الخليّة عن طريق تفعيلالخط والعمود الذين يتقاطعا في هذه الخليّة لكي تتم عمليّة القراءة أو الكتابةللمعلومات الموجودة عليها، ولا بد من وجود زمن تأخير ما بين إرسال الإشارةالكهربائيّة إلى السطر أو العمود وما بين تفعيله فعلا، و هذا الزمن القصير جداًيطلق عليه التوقيت، ويوجد للذاكرة عدة تواقيت اذكر منها على سبيل المثال لا الحصر،توقيت تفعيل العمود، توقيت إلغاء تفعيل، العمود توقيت تفعيل سطر ..الخ، و من هناتتضح أهمية دور التواقيت في التأثير على سرعة عمل الرام، فهي إذا أردنا الإنصاف ذاتتأثير على الأداء لا يقل عن تأثير التردد، ويعتبر التوقيت الأهم و الأكثر تأثيراًفي جميع الذواكر هو زمن تفعيل العمود و احد الأزمنة الأقل أهمية هو زمن تفعيلالسطر، ذلك أنه ما إن تم تفعيل السطر فإنه قد أصبح بالإمكان النفاذ إلى جميعالخلايا الموجودة ضمنه بمجرد تفعيل الأعمدة المتقاطعة معه بشكل متسلسل، وبالنظر إلىأن أغلب عملياّت القراءة التي تقوم بها الذواكر العشوائيّة هي من هذا النوع (بحكمتوضع المعلومات المرافقة لبعضها على شكل سلسلة ضمن السطر نفسه والأسطر التي تليه) فان تأثير زمن تفعيل العمود CAS على أداء الذاكرة يصبح واضحاً و مفهوم السبب.

وعادة ما تكتب الشركات المصنّعة للذواكر 4 تواقيت فقط على هذاالشكل:
4-4-4-12
أو
5-5-5-15
التوقيت الأول وهو 4 في المثال الأول و 5في المثال الثاني هو زمن CAS أو CL ء (CAS Lattency ) الأهموالأكثر تأثيراً على أداء الرام.

وهذه الأرقام تدل على عدد النبضات (والتييقاس بها التردّد) لا الثواني (أو اجزائها) المستغرقة للتفعيل أو إبطالالتفعيل.

وعادة ما تأتي الذواكر بعدة إصدارات مختلفة في التواقيت و إنتماثلت في التردّد، و الذواكر ذات التواقيت الأقل عدا عن كونها أعلى أداءاً، فهيتعطي فرصة أكبر لكسر سرعتها عن طريق إتاحة المجال لمزيد من رفع التردّد عند تخفيضتواقيتها.

الحجم:

يعتبر الحجم العاملالأهم المؤثر على سرعة أداء الجهاز، فالذاكرة العشوائيّة هي محط البيانات التي يعملعليها الجهاز أثناء فترة تشغيله بحيث يتم تحميل ملفات برنامج التشغيل إلى الرامأثناء إقلاع الجهاز، كما يتم تحميل ملفّات برنامج معين أثناء تشغيله، والهدف منوجودها هو تأمين مقر لأهم البيانات التي يعمل عليها الحاسب عوضاً عن القرص الصلبالذي يعتبر بطيء جداً لهذه المهمة، وهذا هو السبب الأساسي وراء ابتكار الذواكرالعشوائيّة عوضا عن تشغيل البرامج من القرص الصلب مباشرة.

وتوفير حجم أكبرمن الذاكرة العشوائيّة من شأنه إفساح المجال لنقل كمية اكبر من البيانات إليهاوالإبقاء عليها هناك حتى يحتاجها المعالج عوضاً عن الاضّطرار لقراءتها من القرصالصلب، وعلى هذا فإن حجم الرام يعتبر من أهم العوامل المؤثرة على أداء الجهاز ككل،وانخفاضها عن حد معين يؤدي إلى بطئ كارثيّ في مختلف التطبيقات.

ينصح بأن لايقل حجم الذاكرة العشوائيّة عن 512 ميغا بايت بالنسبة لويندوز إكس بي و 1 غيغا بايتبالنسبة لويندوز فيستا، وذلك في أسوأ الأحوال وفي حال كان الجهاز مخصصاًللاستخدامات البسيطة، أما الحد الموصى به فهو 2 غيغا بايت وذلك مع التطبيقات ونظمالتشغيل الحاليّة.

الماركة:

يعتبر عاملالماركة عامل هام في اختيار الرام بشكل خاص دوناً عن باقي القطع، ذلك أن الكثير منمشاكل الاستقرار التي تصادف الأجهزة المجمّعة مردّها شراء أنواع رديئة من الذواكرأو وحدات الطاقة، بالإضافة إلى كثرة الأعطال في الذواكر ذات النوعيّات الرديئةناهيك عن أن البعض منها قد تأتي وهي معطوبة، وعلى هذا فإن شراء الذاكرة العشوائيّةمن ماركة جيّدة ومعروفة حتى لو كلف مبلغاً إضافيّاً من المال هو تصرف حكيم عندتجميع جهاز.
وهذه بعض أشهر الماركات المصنّعة للذواكر:
Kingston , OCZ , G.SKILL , Crossair , A-DATA ,

سؤال شائع جداً عند شراء الذاكرةالعشوائيّة:

هل اشتري قطعة رام واحدة امقطعتين؟

يفضّل عادةَ شراء قطعتين حتى يتم تفعيل تقنيَة Dual channel
ويجب وضع قطع الذاكرة في تسلسلمعيّن على الشقوق حتى يتم تفعيل التقنيّة، ويعرف ذلك التسلسل بالرجوع لدليلاللّوحة، حيث أن ذلك يختلف من لوحة لأخرى.
كما أنه من الممكن أن يختلف التسلسلبين قطع الذاكرة فيما اذا كانت ثنائيّة الوجه (double side ) أو أحاديّة الوجه (single side)، و أغلب الذواكر المنتشرة في الأسواق أحاديّة الوجه.

أمّا فيحال المفاضلة بين قطعتين أو أربع قطع، فعندها ترجح الكفة لصالح القطعتين أيضا و ذلكلأن القطع الأربعة ستشكل ضغطاً أكبر من قطعتين اثنين على متحكّم الذاكرة، وهو مايضعف الأداء ولكن بسيط جداّ يصعب ملاحظته، لذا ينصح الشخص المقبل على الشراء بشراءقطعتين عوضا عن أربعة. أما الشخص المقبل على زيادة حجم الذاكرة، لديه فلا مشكلةأبداً من شراء قطعتين إضافيتين ليصبح المجموع أربعة، عوضاً عن رمي القطعتينالقديمتين والشراء من جديد.

ملاحظات:
*تأتي بعض الذواكربمشتّتات معدنيّة للحرارة (كما في الصورة) ومهمّتها تأمين تبريد إضافي لشرائحالذاكرة، إذ أن بعض الذواكر الاحترافيّة عند التردّدات المرتفعة تطلق كمية لايستهان بها من الحرارة، إلا أن زيادة تبريد هذه الشرائح لا يرفع من سقف كسر سرعتهابشكل كبير كما مع المعالجات.

*عند شراء ذاكرة بتردّد مرتفع قد تلاحظ توافر عدة موديلات تختلف بالفولتيّة، و الفولتيّة الأعلى تعكس جودة أقل في الخامات المستخدمة في صناعة الذاكرة، في مقابل الذواكر الأجود التي تستطيع الوصول لتردّدات أعلى دون الاضّطرار إلى رفع الفولتيّة.

*تتوافر بعض الرامات التي كتبت عليها عبارة SLI Certification وهذه الرامات تزيد عن الرامات العاديّة بشيئين:

1- دعمها لتقنيّة EPP.

شرح بسيط للتقنيّة المذكورة:
من المعلوم أن اللوحة الأم تتعرّفعلى التوقيت والتردّد المناسب لذاكرة ما من خلال قراءة المعلومات الموجودة في وحدة SPD، والتي هي عبارة عن نوع من الذواكر شبيه جداً بذواكر الفلاش المعروفة، تقومالشركة المصنّعة للذاكرة فيه بكتابة التواقيت المناسبة للذاكرة لكل تردد، بالإضافةإلى التردد الافتراضي لها.

الميزة التي توفرّها التقنيّة المذكورة هي أنهاتوفّر أكثر من وضع واحد Profile للتواقيت، ويتم اختيار أنسب وضع للعمل به تلقائياًبما بلائم أقصى حد ممكن من الأداء مع الحفاظ على الاستقرار التام، وكما يمكناستخدامها عند القيام بكسر السرعة لاختيار أكثر وضع ملائم لرفع ترددالذاكرة.

2- أنّها مصرّح بها من قبل إنفيديا بأنها متوافقة مع العتادالمصرّح به من قبلها،وعلى هذا فهي متوافقة تماماً مع لوحات الإتفورس التيتعاني من مشاكل في التوافقيّة مع بعض أنواع الذاكرة.

*أيضا تتوافر ذواكر كتبت عليها عبارة CrossFire Certification: وهذه الذاكرة تزيد عن العاديّة فقط بأنها مصرّح بها من قبل ATI بأنها متوافقة مع العتاد المصرّح به من قبلها.

على أي حال، فان جميع شركات اللوحات الأم توفرعلى موقعها وفي صفحة كل لوحة، قائمة بأنواع الذواكر المصرّح بها على أنها متوافقةتماماَ من قبل الشركة المصنعة للوحة الأم.

[url="http://www.samygames.com/"] الذاكرة العشوائيّة (الرام) Dsfsdfsdfs

[/url]

» برنامج تنظيف الرام في الجهاز لزيادة كفاءة الجهاز و مجرب